选择性与合成设计小结
回顾化学选择性、保护基正交策略与区域选择性控制的核心逻辑
🎯 化学选择性
不同官能团对同一试剂的响应差异。
· Cr(VI) → 醇,不动 C=C
· OsO₄ / O₃ / 过氧酸 → C=C,不动醇
· TPAP / Dess-Martin:温和氧化伯醇至醛
🛡️ 保护基正交策略
每种保护基有独立的"脆弱点":
· TBDMS → F⁻ 脱除
· THP → H⁺ 脱除
· Bn → H₂/Pd 氢解脱除
多步合成中可依次独立操作
🧭 Birch 还原区域选择性
· 吸电子基 → ipso / para 还原
· 给电子基 → ortho / meta 还原
由自由基阴离子电子密度分布决定
⚖️ 双负离子反应性
最后形成的负离子最先反应
动力学控制:后去质子化的位点碱性更强、亲核活性更高,优先捕获亲电试剂
🔑 合成设计核心原则:先分析目标分子的官能团敏感性 → 选择正交保护基 → 利用电子/位阻效应控制区域选择性 → 最后按脆弱点顺序脱保护
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